（以下内容全部来自上述课程）

存储系统基本概念

1. 层次结构

2. 分类

顺序存取存储器：例如磁带，想听哪句歌词只能从头慢慢放。
直接存取存储器：例如唱片，可以拨动磁头，放到任意相放的位置。
串行访问存储器：顺序＋直接

3. 性能指标

4. 小结

主存储器的基本组成

1. 半导体元件的原理

MOS管：开关
MAR：地址寄存器
MDR：数据寄存器
字：一个数字，0或者1，bit
字长=字×个数bit
字节：一个字节=八个数字，Byte
字:字节=1:8
绿色：八个字=一个字节
一个存储元对应一个字
一个存储单元对应八个存储元，也就是八个字，也就是一个字节

2. 存储器芯片的基本原理

绿色：数据总线，与CPU相连，需要的时候可以调出
红色：地址总线，调出数据的时候用来查找需要调出数据的地址

CS：chip select 芯片选择
CE：chip enable 芯片使能
WE：write enable 写使能
OE：output enable 输出使能
注意：头上划线的代表该信号低电平时有效

片选线：因为内存条上会有多块存储芯片，所以需要用片选线确定自己需要的是哪一个存储芯片。
读控制线：控制是否需要输出
写控制线：控制是否需要输入

n位地址–>n根地址线–>2ⁿ个存储单元
总容量=存储单元个数（竖着的宽）×存储字长（横着的长）

3. 寻址

每个空格是1Byte（8个字节），四个空格就是4B。一行对应一个存储单元，所以一个存储字长是4B–>第二行每个单元4B
字（指存储字长）：一个存储单元=一个存储字长=一行=4B
半字：4/2=2B
双字：4×2=8B

总容量1K：

• 第一行：1K×1B
• 第二行：256×4
• 第三行：512×2
• 第四行：128×8
  

4. 小结

DRAM和SRAM

1. 特性差异

记住：栅极电容–>DRAM

栅极电容：小
双稳态触发器：大

记忆点：
双：1或者0都可以输入，会根据各自定义不同进行操作
稳态：非破坏性读出



刷新：

2. DRAM的刷新

同时被行和列选中的地址就是需要的地址。

3. DRAM的地址线复用技术

地址线可以同时作为行或者列，先用作行筛选好自己的地址，再转换为列进行更细致的选择。

4. 小结

ROM

双端RAM和多模块存储器

1. 双端口RAM（了解）

2. 多体并行存储器

高位交叉编址：按照前两位分类
低位交叉编址：按照最后两位分类

m=T/r

3. 小结

4. 拓展

简单来说：多模块存储器就是多插入了一个内存条，可以实现两个内存条同时访问CPU提高运行速度的结果。
加入同色的卡槽中就实现了低位交叉，加入异色的卡槽就实现了高位交叉。

主存储器与CPU的连接

1. 前言

1. 位扩展

8=2³–>K=2¹⁰–>3+10–>13根地址线–>A0~A12–>用了13条地址线，还剩3条

就是通过不断增加 8K×1位 的这个单元，来实现位扩展。
新增加的单元，也要绕道前面去连接地址总线和写控制线和数据总线.(就是CPU中的线，新增的也要和前面的单元一样接上)
地址总线连接的没有变，主要是增加数据总线的连接，因为一个单元只能连接一个数据总线。

2. 字扩展

因为位扩展剩下了3根地址线没有连上，所以利用剩下的地址线来实现字扩展。
例如：A13=1，则用第一个单元的数据，但是同时A14必须为0，否则就造成访问的堵塞了。
这就是线选法，因为是直接将0或者1赋值给地址线。

这个方法用到了一个译码器和非门，就可以避免A13、A14同时等于1时产生的错误。
1-2译码器：输入一根线，输出2¹根线。
3-8译码器：输入三根线，输出2³根线。

有的时候可能连接的是A13和A15这两条线，因为A14连不连接都不会影响查询结果。

4. 字位扩展

5. 小结

6. 补充-译码器